特许半导体四季度上马32nm工艺 明年转入28nm
新加坡特许半导体计划在今年第四季度推出32nm制造工艺,明年上半年再进一步转入28nm。
特许半导体很可能会在明天的技术论坛上公布32nm SOI工艺生产线的试运行计划,并披露28nm Bulk CMOS工艺路线图,另外45/40nm LP低功耗工艺也已就绪。
特许的28nm工艺并非独立研发,而是在其所处的IBM技术联盟中获取的,将会使用高K金属栅极(HKMG)技术以及Gate-first技术(Intel是Gate-last的坚定支持者)。
特许半导体2009年技术论坛将在台湾新竹市举行,由该公司CEO谢松辉(Chia Song Hwee)主持,4日还会在上海举办类似的会议。
关键词: 特许半导体 32nm 28nm Gate-first
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