主动“ORing”方案降低了功率损耗和设备尺寸
Cool-ORing方案可以由标准的10脚TDFN封装和8脚SOIC封装形式的单独控制器提供，这些封装的器件可以驱动外部标准的N沟道MOSFET，并且其功能与全部功能的集成方案完全相同（如图2所示）。
图2 当输入电源发生短路故障时PI2001的典型动态响应
Picor的PI2003是针对48V冗余电源架构优化的控制器，特别适合需要瞬态电压在100ms时间内上升达100V输入电压的系统。PI2003的低静态电流使其可以直接输入48V电压，也简化了低损耗偏置。
主动ORing技术中的负载分离特征
常规ORing技术和主动ORing技术解决方案不能在负载故障时保护输出，这是因为总有一个二极管正向偏置电流要流到输出端。在标准二极管ORing技术中，这是显而易见的，但使用常规主动ORing技术，即使当MOSFET关闭的时候，也有一个寄生体二极管存在，并有正向电流流过它，而且是不可能断开它的。
Cool-ORing技术也包括一个负载分离的特征。PI2122全功能解决方案集成了一个具有背对背配置的MOSFET（它们可以提供极低的导通电阻）的高速控制器，封装为高密度强化散热的5mm×7mm LGA封装，并为不大于5V总线的应用进行了优化。
PI2122是7V、12A的器件，具有实际上典型值为6mΩ的导通电阻，可以使它具有非常高的效率。通过采用背对背MOSFET，内部寄生体二极管彼此是反向的，因此当MOSFET关闭的时候，阻止了正向和反向电流。
该产品作为主动ORing技术的解决方案，也能够检测输出负载故障时的过电流。这个功能在独立控制器PI2002中也存在，它可以驱动外部标准背对背配置的N沟道MOSFET。
冗余供电架构依赖于采用宽总线电压的有效ORing技术方案。Picor公司的Cool-ORing系列主动ORing方案的价值是下一代高可用系统的关键。
全功能解决方案将高速控制器和高性能MOSFET技术融合在一起，在高密度强化散热的LGA封装中实现了极低的损耗。这些解决方案与传统的主动ORing技术相比节省了50％的空间。
加入微信
获取电子行业最新资讯
搜索微信公众号：EEPW
或用微信扫描左侧二维码
