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　　KLA-Tencor 公司（纳斯达克股票代码：KLAC）今天宣布推出 eS35 电子束侦测系统，该系统能够以大幅提升的速度检测和分类更小的物理缺陷，以及更细微的电子缺陷。eS35 属于 KLA-Tencor 的第十代电子束侦测系统，它具备更高的灵敏度，改善了单机检查和分类，并且显著加强了吞吐能力，以提高 4Xnm 和 3Xnm 设备的良率。

　　KLA-Tencor 的电子束技术部集团副总裁兼总工程师 Zain Saidin 表示：“电子束侦测对于捕获和发现最小缺陷以及只能通过它们的电子特征检测到的缺陷至关重要。但是，随着晶片厂开始研究 4Xnm 和 3Xnm 节点，他们反映现在的电子束侦测系统无法持续捕获某些缺陷类型——例如 DRAM 中的高纵横比电容底部的微小残留物、先进闪存中的细微位线桥接，或逻辑设备中的表面下短路或管线连接。作为电子束侦测技术的领袖，我们能够利用我们的经验和资源解决此问题，这不仅是通过改进电子束系统本身，而且还通过领先业界的光学侦测系统的专用图像分析计算技术来加以解决。因此，我们开发出了灵敏度和吞吐能力均无可比拟的下一代电子束工具，让晶片厂能够以高灵敏度在线内操作该检测设备。eS35 旨在让我们的客户能够尽可能快速和高效地生产他们的下一代设备。”

　　eS35 拥有明显更高的电子束电流密度、更小的像素和更快的数据速率，可提高最小缺陷捕获率，且其吞吐能力是上一代系统——业界领先的 eS32 的二至四倍。这些改善得益于更低的噪声基底和先进的算法，从而在整个晶片的每个芯片区获得最大的灵敏度。由于具备更高的灵敏度和业界最广泛的电子束条件和预扫描条件选择，让 eS35 能够在最大的缺陷类型和材料范围内捕获缺陷。

　　eS35 捕获有代表性的缺陷群之后，新的强化单机检查功能可提供关键缺陷的高解析度图像。基于规则的分类应用程序采用 KLA-Tencor 光学侦测系统中的算法，对缺陷进行高精度和高纯度分类。分类结果被编制成为缺陷帕雷托排列图，缺陷或良率工程师可依据此图来矫正缺陷偏移根源，同时尽量降低对在制品的影响。

　　eS3x 系列电子束侦测系统广为先进晶片厂所采用，并获得极大成功。KLA-Tencor 在此基础上开发出的 eS35 系统，将提供给亚洲、美国和欧洲的内存和逻辑芯片客户。该系统目前用于 6Xnm 和 5Xnm 设备生产、4Xnm 改善和 3Xnm 开发，捕获前端层和后端层上的各类缺陷。

　　关于 KLA-Tencor：KLA-Tencor 是专为半导体和相关微电子行业提供制程控制及良率管理解决方案的全球领先供应商。该公司总部设在美国加州的圣何塞市，销售及服务网络遍布全球。KLA-Tencor 跻身于标准普尔 500 强公司之一，并在纳斯达克全球精选市场上市交易，其股票代码为 KLAC。有关该公司的更多信息，请访问 http://www.kla-tencor.com。

　　eS35 技术摘要

　　业界领先的缺陷捕获率

　　灵敏度
　　
　　eS35 电子束侦测 (EBI) 系统推出了多项技术改善，提高了对限制良率的电子缺陷和细小物理缺陷的捕获率。电子束密度较前代系统提高了 2.5 倍，其更小的束斑尺寸和硬件增强可全面降低噪声基底，提供更高的密度，解决最小的物理缺陷和最细微的电压对照 (VC) 问题。算法从 KLA-Tencor 的明区检测仪获得，这能降低噪声，并为芯片的各个部分带来更高灵敏度，从而获得更高的关键缺陷百分比。其结果是，缺陷图显示出对于电子测试图的更强相关性。

　　更广的捕获缺陷类型

　　业界最广泛的电子束条件（电子束电流、Wehnelt 电压、沉淀能量）与更宽广的预扫描条件选择相结合，让 eS35 能够处理的材料和层范围广度位居业界之冠。

　　系统性缺陷检测

　　由于系统性缺陷可能对良率产生重大的影响，eS35 采用了 KLA-Tencor 的 LoopTM 专利技术。无论是否提供测试晶片，Loop 代理都能更快地检测系统性缺陷，其优越性尤其体现在逻辑和闪存设备的上面。

　　更快生成可操作缺陷帕雷托排列图

　　吞吐能力

　　数据速率提高到 800 mpps，更高的电子束电流支持采用更大像素检测， eS35 侦测系统的吞吐能力是前代系统的二至四倍。更快的速度可以支持更高灵敏度的操作，或更具有统计意义的可靠抽样，以实现更严格的制造控制。

　　缺陷检查和分类

　　改善的单机检查图像质量和新的缺陷分类算法让工程师能够快速找到并解决缺陷问题。更好的检查图像质量支持更快速的配方调校，并成为更准确缺陷分类的基础。基于规则的分类与最近邻近算法相结合，将提高分类纯度和精度；同时，基于电路结构的实时分类算法自动将 VC 缺陷按照具体的微结构归类。

关键词： KLA-Tencor 电子束 侦测 半导体 微电子